壓敏電阻器|源林電子(在線咨詢)|EPCOS壓敏電阻器：

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電容量C0

壓敏電阻在導通前的電阻值很大，可視為電介質材料，兩個電極之間存在著pF級的電容在工頻下，如此之小的電容對被保護電路的正常工作幾乎沒有任何影響，但在高頻或數字線路中，如不考慮壓敏電阻的電容量，有時會造成信號失真或產生諧振。因此生產廠家應向用戶提供壓敏電阻的電容量參考數據（一般以峰值或典型值的方式），以便用戶設計電路時參考。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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峰值能量Em

峰值能量Em是指壓敏電阻能夠耗散的規定波形的浪涌電流或脈沖電流的能量。峰值能量是產品能夠承受規定次數的

2ms方波或10/1000us脈沖電流峰值，這是用戶選擇防護操作電壓用ZnO壓敏電阻器時的重要參考值。

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