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ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結(jié)構(gòu)，開放的結(jié)構(gòu)對缺陷的性質(zhì)及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。

Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

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連續(xù)工作電壓MCOV

連續(xù)工作電壓MCOV指的是壓敏電阻在應(yīng)用時能長期承受的直流電壓UDC或交流電壓有效值URMS直流電壓的值為80%~92%U1mA，或產(chǎn)品在85℃下，正常工作1000h，施加的直流電壓；交流電壓的值為60%~65%U1mA，或產(chǎn)品在85℃下，正常工作1000h，施加的交流電壓。

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低電場區(qū)域的漏電流

漏電流包括阻性和容性兩部分，交流電壓下容性電流比阻性電流大得多。溫度升高或電場增大，阻性電流增大。壓敏電壓的溫度系數(shù)在-10-4/℃—-10-3/℃之間，計算公式如下：

T=dU1mA/(U1mAdT)

源林電子的壓敏電阻廣受贊譽，可靠性高、性價比高，具有很強的市場競爭力，想了解更多壓敏電阻資料，歡迎來電咨詢！

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