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東莞市源林電子科技有限公司
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    合理的配方和工藝是控制材料的化學成分和微觀結構,獲取優良的宏觀物理性能的關鍵。而ZnO壓敏陶瓷實驗配方的設計是晶粒能否低壓化的關鍵技術之一,各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結構和晶界特性,進而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中,影響燒結時晶粒的生長、液相在冷卻時的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態。到目前為止,人們對低壓化及摻雜改性方面己經作了很多研究工作,得到了許多有價值的結果,如Co、Mn

    、Sb等可改善非線性指數,Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界,Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩定性,而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(形成ZnO晶粒中的施主),Sb及Si可抑制晶粒生長,Be、Ti、Sn則可促進晶粒生長。

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    壓敏電阻的特點是當加在它上面的電壓低于它的閥值'UN'時,流過它的電流極小,相當于一只關死的閥門,當電壓超過UN時,流過它的電流激增,相當于閥門打開。利用這一功能,可以抑制電路中經常出現的異常過電壓,保護電路免受過電壓的損害。例如:

    現在我們家用的彩電的電源電路中就使用了氧化鋅壓敏電阻,這里使用的壓敏電阻的閥值電壓約為270V,當電源電壓小于270V時(正常值為220V)它相當于不導通,而當電源異常,短時超過270V時,它就導通,將電壓限制在270V。

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