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眾所周知，適宜的原材料配方是獲得要求性能的產(chǎn)品的關鍵，它直接關系到工藝流程的擬訂、工藝裝備的選用以及產(chǎn)品性能的提高等。實驗所用原料均為分析純。將ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、SnO2、Sb2O3等原料按一定的ZnO壓敏陶瓷配方比例稱量。稱取的粉料經(jīng)混合，加入粘結(jié)劑（5020膠水）造粒，用壓片機在8MPa的壓力下壓制成圓片坯體，在箱式電阻爐中分別于1160,1180，1200

℃燒結(jié)成瓷，保溫2h 后隨爐冷卻，表面處理后涂銀電極，之后進行各項性能測試。

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ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結(jié)構(gòu)，開放的結(jié)構(gòu)對缺陷的性質(zhì)及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。

Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

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