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上升區(qū)：當(dāng)過(guò)電壓很大，使得通過(guò)壓敏電阻器的電流大于約100A/cm2時(shí)，壓敏電阻器的伏安特性主要由晶粒電阻的伏安特性來(lái)決定。此時(shí)壓敏電阻器的伏安特性呈線(xiàn)性電導(dǎo)特性，即：I=V/Rg 上升區(qū)電流與電壓幾乎呈線(xiàn)性關(guān)系，壓敏電阻器在該區(qū)域已經(jīng)劣化，

失去了其抑制過(guò)電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。根據(jù)壓敏電阻器的導(dǎo)電機(jī)理，其對(duì)過(guò)電壓的響應(yīng)速度很快，如帶引線(xiàn)式和專(zhuān)用電極產(chǎn)品，一般響應(yīng)時(shí)間小于25納秒。因此只要選擇和使用得當(dāng)，壓敏電阻器對(duì)線(xiàn)路中出現(xiàn)的瞬態(tài)過(guò)電壓有優(yōu)良的抑制作用，從而達(dá)到保護(hù)電路中其它元件免遭過(guò)電壓破壞的目的。

源林電子的壓敏電阻器廣受贊譽(yù)，可靠性高、性?xún)r(jià)比高，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，想了解更多溫度傳感器資料，歡迎來(lái)電咨詢(xún)！

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價(jià)和正二價(jià)的Zni和Vo，負(fù)一價(jià)和負(fù)二價(jià)的

VZn ，正一價(jià)的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態(tài)，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢(shì)壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài)，是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時(shí)原子運(yùn)動(dòng)加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過(guò)程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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