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合理的配方和工藝是控制材料的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)，獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關(guān)鍵。而ZnO壓敏陶瓷實(shí)驗(yàn)配方的設(shè)計(jì)是晶粒能否低壓化的關(guān)鍵技術(shù)之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結(jié)構(gòu)和晶界特性，進(jìn)而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質(zhì)對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中，影響燒結(jié)時(shí)晶粒的生長、液相在冷卻時(shí)的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止，人們對低壓化及摻雜改性方面己經(jīng)作了很多研究工作，得到了許多有價(jià)值的結(jié)果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數(shù)，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長，Be、Ti、Sn則可促進(jìn)晶粒生長。

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非線性區(qū)域：

中電場區(qū)為非線性區(qū)域，也是壓敏電阻器應(yīng)用中重要的區(qū)域，導(dǎo)電機(jī)理主要是隧道電流及空穴生成降低勢壘。如只考慮隧道效應(yīng)J = J0exp(-λ/E)，λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場強(qiáng)度，算出的a值低于50。

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