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漏電流IL

漏電流(mA)也稱等待電流，是指壓敏電阻器在規(guī)定的溫度和直流過(guò)壓敏電阻器電流。IEC對(duì)漏電流 IL較為普遍的定義是：環(huán)境溫度25℃時(shí)，在壓敏電阻上施加其所屬規(guī)格的連續(xù)直流工作電壓UDC時(shí)，流過(guò)壓敏電阻的直流電流。

一般而言，在材料配方和燒結(jié)工藝固定的情況下，漏電流適中的壓敏電阻具有較好的安全性和較長(zhǎng)的壽命。

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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢(shì)壘。認(rèn) 為肖特基勢(shì)壘像　ＺｎＯ　微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢(shì)壘。晶粒邊界 上的負(fù)表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來(lái)補(bǔ)償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機(jī)制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢(shì)壘的晶粒邊界缺陷模型在改進(jìn) 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進(jìn)展。

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