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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像　ＺｎＯ　微結構中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側晶粒的耗盡 層的正電荷來補償的。熱電子發射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩電壓應力下，壓敏電阻的穩定性上取得了很大進展。

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它具有電壓非線性系數a大，殘壓低，浪涌耐量大，使用電壓范圍寬（從幾伏到幾十萬伏），伏安特性陡峭且對稱，對脈沖響應時間快，而且無續流，漏電流小（uA），電壓隨溫度變化小等特有的優點。高能氧化鋅壓敏電阻器還具有低場強、高能容的特點。近年來的電力系統、電子線路中，吸收大氣過電壓和操作過電壓，在超導移能和發電機組滅磁、電器設備、半導體器件及各種電機過壓保護等方面具有廣泛的應用前景。

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