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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

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電容量C0

壓敏電阻在導通前的電阻值很大，可視為電介質(zhì)材料，兩個電極之間存在著pF級的電容在工頻下，如此之小的電容對被保護電路的正常工作幾乎沒有任何影響，但在高頻或數(shù)字線路中，如不考慮壓敏電阻的電容量，有時會造成信號失真或產(chǎn)生諧振。因此生產(chǎn)廠家應(yīng)向用戶提供壓敏電阻的電容量參考數(shù)據(jù)（一般以峰值或典型值的方式），以便用戶設(shè)計電路時參考。

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